二硅化钨相关论文
磁性材料 :具有高饱和磁化强度的氮化铁薄膜 ,其耐蚀性和耐磨性也非常优越 ,是适于磁头和磁记录媒体用的很有前途的新材料。Fe16 N2 ......
用~(16)O(α,α)~(15)O共振散射在E_R=3.042MeV共振,分析样品中氧含量及浓度分布,研究了离子束混合引起的W-Si多层薄膜间的反应及......
本文报道用As离子束混合形成WSi2的结构和电性质的研究结果。指出在衬底温度350℃下注入,WSi2的形成温度可大大降低.WSi2薄膜电阻......
二硅化钨(WSi_2),在金属-氧化物半导体(MOS)器件中作为一种导电材料已广泛地被人们所认识。尤其是,WSi_2和多晶硅、聚硅结合,在MO......
日本一家冶金公司研制出一种纯度为6N的钨靶材,其直径为300mm,其中钠和钾的含量各低于10×10^-9,铁、镍、铬、铜、铝的含量各低于......
根据固体与分子经验电子理论,对MoSi2和WSi2相进行价电子结构分析,通过键距差方法,计算了MoSi2和WSi2晶体中各键上的共价电子数。结果表明:MoSi2和WSi2相是靠键距为......