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用质量分离的离子束外延(MALE-IBE或简作IBE)法在n-Si(111)上生长了CoSi2超薄外延膜.厚度为10~20nm的CoSi2薄膜的结构特性已由AES、RHEED及RBS作了研究.实验结果表明Co的淀积率对CoSi2单晶生长来......
采用Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在Si(100)上制备外延CoSi2薄膜,用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结......
本文用显微喇曼光谱方法,在μm尺度上对集成电路中由多晶硅衬底上生长CoSi2所引起的应力进行了测量,并对这种应力的类型和大小与含有CoSi2的电路......