二维电子气密度相关论文
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)是微波,大功率应用的优秀之选。但由于存在应变的AlGaN/GaN异质结极化效应较大,其肖特基接触......
4 GaN HEMT20世纪90年代中期GaN HEMT诞生。GaN是宽禁带材料,具有电子饱和速度高、击穿场强高、SiC衬底导热性好、抗辐照等特点,且......
从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个n沟Si/Si1xGexHEMT异质结层的原理及方法,对K.Ismail器件进行了分析和计算,所得2DEG的ns......
从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1－ xGex HEMT结构的设计原理及方法，对 Ismail器件进行了分析和计算，所得二维电子气 (2DE......
试验用高分辨率X射线衍射仪（HRXRD）测定了不同介质层钝化后异质结势垒层AlGaN的附加应变，用范德堡霍尔效应测量法测定了不同介质层钝......
GaN材料由于其禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场强、化学性质稳定等优越性能,使得GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)非......
