ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

采用布里奇曼法生长出了化合物半导体GaTe,并对其晶体结构进行研究。利用X射线衍射仪对GaTe粉末和块体试样分别进行测试,确定了其......