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本文应用medici仿真工具，分析了ESD防护电路中常用的低压触发可控硅(LVTSCR)结构，讨论了几种影响性能的主要因素，同时在特定CMOS工艺......
静电放电保护电路设计问题是SOI CMOS可靠性设计中的一个重要环节之一.本文综合研究了当前SOI ESD保护技术发展的最新动态,并由此......
对采用多指条形GGNMOS结构的ESD保护电路的工作原理进行分析，并对其进行ESD测试实验。理论分析了影响ESD性能的一些因素，提出一种栅......
随着工艺不断的发展,芯片越来越容易被静电放电（ESD）冲击损坏。在动态随机存取存储器（DRAM）芯片中最容易被ESD损坏的模块就是接口（I/O）模......
本文主要论述集成电路加速寿命测试理论方法和IC常见失效模式。加速寿命测试包括定性高加速寿命HALT测试技术和定量加速寿命测试Ar......
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