研究了 Si衬底上 Si Ge C合金薄膜的生长。以 C2 H4 为 C源、采用快速加热超低压化学气相淀积 (RTP/VL P- CVD)的非平衡生长技术 ,......

研究了Si衬底上SiGeC合金薄膜的生长.以C2H4为C源、采用快速加热超低压化学气相淀积(RTP/VLP-CVD)的非平衡生长技术,在Si(100)衬底......