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高阻In掺杂CdZnTe晶体缺陷能级的研究
利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了I......
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碲锌镉
低温PL
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