化学气相沉积(CVD)技术是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术,为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在影响方向8°的4H-SiC(0001)S......

用低压化学沉积(LPCVD)方法在偏向方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长,利用Nomarski光学显微镜和原子力......

为了获得高质量 4 H- Si C外延材料 ,研制出一套水平式低压热壁 CVD(L P- HWCVD)生长系统 ,在偏晶向的4 H- Si C Si(0 0 0 1)晶面......

为了获得高质量4H-SiC外延材料，研制出一套水平式低压热壁CVD(LP-HWCVD)生长系统，在偏晶向的4H-SiC：Si(0001)晶面衬底上，利用“台阶控......