采用Cascade探针台与Agilent 4155B参数测试仪测试采用15 μm P阱单层多晶单层金属CMOS工艺制作的宽长比为50∶4的高压PMOSFET在不......

采用常规P阱CMOS工艺，实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器律。制作的器件，其击穿电压为55V，阈值电压0．92V，驱动电流25mA。对所设计的CMOS......

采用Cascade探针台与Agilent4155B参数测试仪测试采用1．5μmP阱单层多晶单层金属CMOS工艺制作的宽长比为50：4的高压PMOSFET在不同温......