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光增强湿法刻蚀相关论文
光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率
以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电......
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光学材料
出光效率
光增强湿法刻蚀
垂直结构GaN基LED
Si衬底
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