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光电基础材料(水平砷化镓)相关论文
光电基础材料缺陷的研究
本文讨论了如何在光电基础材料(水平砷化镓单晶)生长过程中进行缺陷(位错密度)控制,通过控制熔区的长度,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制......
期刊
光电基础材料(水平砷化镓)
缺陷(位错密度)
熔区
温度梯度
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