利用新型全固源分子束外延技术，对1.55μm波段的InAsP/InGaAsP应变多量子阱结构的生长进行了研究。实验表明，较低的生长温度或较大的......

传统分子束外延(MBE)技术是不能生长含磷化合物的,原因在于通常情况下磷会带来很高的饱和蒸气压,使得生长难于控制。近几年来兴起......

在国产分子束外延设备的基础上，利用新型三温区阀控裂解源炉，对ＩｎＰ及ＩｎＧａＡｓＰ材料的全固源分子束处延（ＳＳＭＢＥ）生长进行了研究。生长了高质量的ＩｎＰ外延层，表面......