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文章分析了射频电子标签芯片电源的特点,根据电源低电压和低成本要求,讨论了传统的带隙基准源和全CMOS的基准电压源电路方案,设计......
基于SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计一款纳瓦级功耗的全CMOS带隙基准电路。该电路由全CMOS电路实现,避免使用三极管和电阻,实现了节省......
自本世纪50年代晶体管诞生以来，微电子技术发展异常迅速，目前已进入甚大规模集成电路和系统集成时代，微电子技术已经成为整个信息时代......
基于TSMC40LP工艺设计了一种新颖的温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源。本设计采用全MOSFET设计,工作于1.1V电源电压,通过将MOSF......
利用工作在亚阈值区的MOS管代替传统电流基准中的三极管或电阻器件,实现了一款全CMOS器件的电流基准.利用PMOS管的体效应实现进一......
基于亚阈值区MOSFET器件栅源电压的负温度特性,以及两MOSFET串联中间结点电压的正温度特性,设计了一个新型基准电压源。与传统带隙......
基于MOSFET亚阈值的特性，通过两个MOSFET闽值电压差与热电压VT相互补偿的原理，提出了一种全CMOS基准电压源电路。与传统带隙基准电路......
