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报道了蓝宝石衬底 Al Ga N/ Ga N共栅共源器件的制备与特性 .该器件包括栅长为 0 .8μm共源器件与栅长为1μm的共栅器件 .实验表明......
AlGaN/GaN功率晶HEMT具备大电流,高击穿电压,耐高温,高功率密度,高效率的特性,同时又有很好的微波特性,应用领域覆盖2-40GHz大功率......
报道了蓝宝石衬底AlGaN／GaN共栅共源器件的制备与特性．该器件包括栅长为0．8／1m共源器件与栅长为1μm的共栅器件．实验表明，共栅器件的第二......
