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共硒硫化相关论文
基于共溅射Cu-In预制层制备CuInSe2和CuIn(S,Se)2薄膜
CulnSe2薄膜具有较为理想的带隙(1.04ev),光吸收系数高(105cm-l),抗辐射能力强,无光致衰退效应,可调带隙(通过Ga取代In和S取代Se)等优点,......
学位
CulnSe2薄膜
Culn(S
Se)2薄膜
快速热处理
共硒硫化
低温热处理
共溅射Cu-In预制层
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