内部水汽含量相关论文
介绍了GJB 548 A方法1018规定的内部水汽含量的三种测定程序和原理以及所用的设备,并重点 介绍了程序1中的有关测试方法以及对内部......
现阶段,石英晶体元件在高空、低温等条件下的使用过程中还是经常出现问题,这种问题的产生多是由元件内部水汽含量过高导致.因此,对......
元器件封装气密性与其性能、寿命及可靠性密切相关。封装内部高水汽含量,易引起内部芯片、电路等部位产生各种物理化学反应,造成器......
内部水汽含量值过高是直接影响石英晶体元件在高空、低温下工作稳定性的重要因素.针对按常规工艺生产的石英晶体元件,内部水汽含量......
通过对密封性氦质谱细检漏漏率公式和内部水汽含量公式的推演，并通过典型实例对电子元器件内部水汽含量公式进行了验证，同时对国内外......
本文对国内三个光电耦合器主要生产有的多种型号品种气胱电耦合产品开展了密封试验和内部水汽含量检测，并着重对试验结果进行了分析......
在对氦质谱细检漏漏率公式的分析和对密封腔体内外气体交换过程公式的推演中，以氦气标准漏率LHC代替等效标准漏率L，引用了氦气交换时......
通过对氦质谱细检漏漏率公式的推演及内部氦气和水汽含量的计算,文章研究指出:应该以真实的氦气标准漏率L代替虚拟的等效(空气)标......
介绍了GJB 548A方法1018规定的内部水汽含量的三种测定程度和原理以及所用的设备，并重点介绍了程度1中的有关测试方法以及对内部封......
在对氦质谱细检漏漏率公式的分析和对密封腔体内外气体交换过程公式的推演中，以氦气标准漏率LHe代替等效标准漏率L，引用了氦气交换时......
0605561 高压大功率器件小电流控制技术研究[刊,中]/曾莉// 微电子学.-2005,35(6)．-587-590(D) 0605562 综合航空电子/武器火控系统......
重点介绍采用黑瓷低温玻璃陶瓷外壳(CerQFP64)封装的集成电路水汽超标的原因。根据此种外壳的特殊性,通过采用特殊的高温烘烤处理......
提出了国产密封电子元器件封装内部水汽含量高的问题,阐述了内部水汽对元器件性能与可靠性的影响,探讨了降低内部水汽含量的主要技......
在对氦质谱细检漏漏率公式的分析和对密封腔体内外气体交换过程公式的推演中，以氦气标准漏率LHe，代替等效标准漏率L，引用了氦气交换时......
气密性封装内部水汽含量过高,会使芯片及电连接系统发生各种物理化学反应,从而造成器件参数不稳定甚至失效,为了保证空封半导体器......
针对半导体模拟集成电路内部水汽含量大,不能满足装备对集成电路长期可靠性要求的现状,对陶瓷熔封、金属储能焊封两种封装技术进行......
密封封装内部的水汽对于半导体器件的可靠性是一种威胁,由此导致的硅表面铝金属线的腐蚀是一种主要的失效机理。为了防止密封封装......
由于元器件的內部粘接材料的组成不同及其封装气氛的不良导致元器件内部水汽含量过高，会引起元器件内部锈蚀，氧化?贾略骷阅......
混合集成电路“单向泄漏”问题是微电子工业中新近发现的问题,它通常出现在各种金属与玻璃封接的器件当中;然而,对于这些器件,很难......
元器件内部水汽含量超标会对元器件的性能、贮存寿命和可靠性带来严重影响,水汽含量超标造成的失效在元器件使用或贮存一段时间后......
