冷却孔直径相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

冷却孔直径相关论文

n型4H-SiC单晶生长工艺研究

采用PVT法掺氮得到n型4H-SiC体单晶。研究了生长温度、冷却孔直径、掺氮量对晶体结晶质量的影响。实验结果表明：生长温度过低或过高......

期刊

n型4H-SiC 生长温度冷却孔直径掺氮量结晶质量

PVT法生长n型4H-SiC电阻率的研究

采用PVT法掺氮得到n型4H-SiC体单晶。研究了生长温度、冷却孔直径和掺氮量对电阻率的影响。实验结果表明:生长温度越低,掺氮量越多......

期刊

n型4H-SiC 生长温度冷却孔直径掺氮量电阻率均匀性

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