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减压化学气相沉淀相关论文
RPCVD生长SiGe薄膜及其性能研究
利用应用材料公司外延设备,在Si(001)衬底上,通过RPCVD方式生长出完全应变、无位错的SiGe外延层。通过X射线衍射和原子力显微镜测......
期刊
减压化学气相沉淀
锗硅
外延
应变薄膜
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