凹陷沟道相关论文
该文重点研究了纳米级栅线务(或者沟道区)和超浅PN结制作这两个当前超短沟器件研制中最困难的领域.侧墙图形转移是目前最成功的制......
本文较为详细地描述了凹陷沟道ＳＯＩ器件的结构和工艺制造技术，采用凹陷沟道技术制备的ＳＯＩ器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全......
概述体硅CMOS(bulk CMOS)技术在近20年获得了飞速发展,成为VLSI的主流技术。CMOS集成电路的特征尺寸正在向深亚微米发展,0.18μm C......
