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初级反冲原子能谱相关论文
氮化镓在不同中子辐照环境下的位移损伤模拟研究
电子器件中的半导体材料经过中子辐照后产生大量位移损伤,进而影响器件性能,氮化镓(GaN)材料是第三代宽禁带半导体, GaN基电子器件......
期刊
GEANT4
氮化镓
初级反冲原子能谱
中子辐照效应
geant4gallium nitrideprimary recoils spectrumneutron
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