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刻蚀成型相关论文
碳化硅功率器件关键工艺研究
以碳化硅(SiC)材料为代表的第三代宽禁带半导体材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速率等特点,特别适合......
学位
碳化硅
欧姆接触
刻蚀成型
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