采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最......

采用发射极-基极金属自对准工艺，成功研制出了InGaP／GaAs功率HBT．发射极尺寸为(3μm×15μm)×16的功率器件的截止频率和最高......