化含物半导体相关论文
我们用红外透射光谱和X射线双晶衍射等,研究了退火对CdZnTe晶体质量的影响。结果表明,在Cd气氛中,700℃,退火5小时以上,能大量地去除晶片中的Te沉淀,提高......
本文报道了AlxGa1-xAs/GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400-500℃与水汽(携带气体为N2)发生化学反应的氧化特性。其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边界......