氮化铝(AlN)是直接带隙半导体，禁带宽度为6.2eV，近来被用来做金属—绝缘体—半导体(MIS)结构的绝缘体。与传统的作为绝缘体的SiOx相......

对半导体光电子行业MES（Manufacturing Execution System）的应用现状做了总结,分析了现有系统的功能属性、模块分类及使用效果,归纳......

本文介绍了在稀土离子Re（Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd）注入的SiO2金属-氧化物-硅（MOS）结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的......

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本文提出了一种新型的３腔结构谐振腔增强型光探测器，并进行了实验研究。此器件的光谱响应线宽由其滤波腔决定。实验测得为小于４ｎｍ；它的量......