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半导体表面钝化相关论文
a—Si_(1-X)C_X∶H 钝化膜热稳定性的研究
采用外耦合电容式射频辉光放电等离子体 CVD 系统,在低于300℃的衬底温度下,制备出了 a—Si(1-x)C_x∶H 钝化膜.对含碳量不同的3种......
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钝化膜
Si
X)C_X
半绝缘体
半导体表面钝化
热稳定性实验
释氢谱
稳定性实验
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衬底温度
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