半绝缘碳化硅相关论文
借助二次离子质谱法分析了注入的钒离子在碳化硅中的分布.即使经过1650℃的高温退火,钒在碳化硅中的再扩散也不显著.退火并没有导......
对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1650℃退火后,钒注入......
半绝缘碳化硅单晶(SI-SiC)是非常具有吸引力的大功率电子器件衬底材料,目前已越来越多地引起了人们的重视。其晶片电阻率的测试一......
对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加，经过1650℃退火后，钒注入p......
借助二次离子质谱法分析了注入的钒离子在碳化硅中的分布．即使经过1650℃的高温退火，钒在碳化硅中的再扩散也不显著．退火并没有导致明......
半绝缘碳化硅(SiC)材料对于SiC器件的制作和性能具有非常重要的意义,特别是对功率器件、深亚微米器件和微波功率器件更是如此。半......
我国成功自主研制了4英寸高纯半绝缘碳化硅半导体材料，为我国新一代雷达系统的研制奠定基础。近日，我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳......
光导开关全称为光控光导半导体开关,因其触发抖动小、极高的响应速度、极高的功率容量、耐压能力强、功耗低、寄生电感电容小、动......
