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单层硫化锗相关论文
新型二维半导体材料本征导电性质的第一性原理研究
本文通过基于密度泛函理论第一性原理计算的“转移真实态模型”系统地研究了黑磷烯、黑砷烯和单层Ge S中所有本征点缺陷的基础性质......
学位
黑磷烯
黑砷烯
单层硫化锗
第一性原理
本征缺陷
晶体对称性
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