单片功率放大器相关论文
本文提出并搭建了一套可用于毫米波功放芯片(MMIC)功率测试的脉冲测量系统,对于未封装的裸片可实现在片测量;对于已经封装好的芯片......
随着数字式移动通信技术的不断发展,先进工作制式层出不穷。不同的制式对发射链路中的功率放大器有不同的要求。该文讨论了目前常用......
采用GaAs离子注入工艺,研制了GaAsX/Ku波段单片功率放大器,放大器末级栅宽7.6mm,频率9-13GHz,增益大于9.5dB,输出功率3W(f=11GHz时达4W)效率≥22%(11GHz时达30%)。......
报道了K波段的PHEMT MMIC的设计与研制。PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inch GaAs标准工艺制作。三级的MMIC放大器在18GHz处,线性增益17dB,输出功率P-1=19dBm。Y......
本文报道了两级GaAs单片功率放大器的设计和制作,着重介绍了利用MESFET的小信号模型和直流负载特性设计MESFET在大信号状态下的最......
罗氏线圈以其高精度、良好的线性度以及不饱和等显著优点,在电流测量领域显现出广阔的应用前景,尤其是在工频大电流和脉冲电流的测......
GaAs单片集成电路具有体积小、质量轻和可靠性高等特性,已经成为微波领域重要的器件。采用MBE技术生长出双面掺杂AlGaAs/InGaAs PH......