单粒子多位翻转相关论文
空间辐射作为航天器故障的主要来源，一直以来备受人们的关注，星载计算机的容错技术也成为航天器设计的关键技术之一。随着半导体制造......
基于单粒子效应脉冲激光实验装置,开展了90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器的单粒子翻转和闩锁效应实验,并给出了器件单粒......
以65nm双阱CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺的SRAM(Static Random Access Memory)为研究对象,采用三维数值模......
为减少单粒子效应对存储器造成的数据错误影响,目前卫星上多采用汉明码编码方式实现的错误检测与纠正(EDAC)系统进行数据保护。为......
建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nm SRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子......
器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战.针对90 nm SRAM（static random access memory,静......
近年来随着商业航天的发展,空间飞行器计算机系统开始大量使用工业级甚至商业级电子元器件,这种设计带来众多优点的同时却存在一个......
为提高传统纠检错(error detection and correction,EDAC)模块对星载SRAM中单粒子多位翻转(multiple bit upsets,MBU)的纠错率,提......
随着国家航天事业的发展和战略需求的增加，半导体器件的抗辐射性能问题受到了广泛的研究，而单粒子效应作为影响宇航器件可靠性的关键......
