压接型相关论文
针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进......
按绝缘失效模式,将压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的绝缘问题分为漏电和放电问题。借鉴电力电子学科研究范式,提出从绝缘测试、物......
压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)内部存在多层接触界面,为研究界面间接触热阻对器件整体热特性的影响,建立了考虑接触热阻的压接型......
该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷......
微波电子系统封装技术的变化，提出了对高性能盲插式同轴连接器的要求，文章介绍的３．５ｍｍ盲插式连接器在２６．５ＧＨｚ的最高时具有稳定的电气性能和机械性......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
介绍了压接型大功率半导体器件封装结构的有限元分析方法，利用Ansys有限元分析软件对IGCT这一具有代表性的器件进行了热分析，得出了I......
