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原位硅化涂层相关论文

HL—1M装置原位硅化涂层研究

自ＨＬ－１Ｍ装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了等离子体约束性能，本文对ＨＬ－１Ｍ装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质，热辐射和再循环进行......

期刊

等离子体杂质托卡马克第一壁原位硅化涂层

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