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双凹陷缓冲层相关论文
针对缓冲层改进的4H-SiC MESFETs新结构设计与仿真
碳化硅作为第三代宽带隙半导体材料,表现出优异的材料特性,且金属半导体场效应管器件频率高、不易发生二次击穿。4H-SiC MESFETs器......
学位
4H-SiC MESFET
缓冲层改进
双凹栅
双凹陷缓冲层
Γ栅凹陷缓冲层
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