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双箔活化法相关论文
单晶硅受照热中子注量率的双箔活化法测量研究
由于活化箔材料和单晶硅目标核素的活化截面随中子能量的变化曲线形状不同,导致等效2200m/s热中子注量率的活化箔法确定值与单晶硅......
期刊
单晶硅
等效2200m/s热中子注量率
双箔活化法
活化截面
single-crystal silicon
equivalent 2 200 m/s therm
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