基于标准CMOS工艺,可实现单结深光电二极管传感器(p+/n-well、n-well/p-sub和n+/p-sub)和双结深光电二极管传感器(p+/n-well/p-sub......

基于标准CMOS工艺设计了一种新型的集成荧光传感器，该传感器采用P^＋／Nwell／Psub双结深光电二极管结构和高灵敏度的电容跨阻抗放大器（CTI......