双阱相关论文
玻色-爱因斯坦凝聚最初由玻色和爱因斯坦在1924年提出,描述的是在温度趋近于零的时候原子所形成的宏观量子态。在1995年Rb原子中实......
超冷原子体系中要观测增益平衡的宇称-时间(PT)对称,需产生受控的原子布居增益/损耗及相干耦合。本文提出了动态控制原子芯片上双......
We propose a scheme to implement single-qubit operations for singlet-triplet qubits located in an isolated double-well p......
玻色-爱因斯坦凝聚体的干涉现象是冷原子物理研究的重要内容之一。本文从双模Bose-Hubbard模型出发，运用这一模型对典型的双阱中玻......
Effective Two-State Model and NOON States for Double-Well Bose-Einstein Condensates in Strong-Intera
<正> The model of double-well Bose-Einstein condensates in the strong-interaction regime is shown to reduceadiabatically......
本文以倒相器为实例,较详细地介绍3微米设计规则的外延双阱 CMOS 器件,通过理论分析,计算机模拟、工艺实验及参数测试研究,分析阱......
利用微束和宽束辐照装置分别对两款65nm双阱CMOS静态随机存储器（SRAM）进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转（multiple-cell upset,MCU）类......
首次报道了GaAs/Al0.35Ga0.65As/GaAs（50（?）/40（?）/100（?））非对称耦合双阱P-I-N结构的室温光伏谱,清楚地观察到双阱的轻、重空穴激子峰,这......
为避免应变Si沟道(Strained Si channel)CMOS工艺中的高温过程,通过选择合适的离子注入能量和剂量,采用快速热退火(RTP)工艺,制备......
1924年印度科学家S. N.玻色完成一篇关于光子气体的统计性质的文章,接着在第二年A.爱因斯坦指出在一定临界温度下,无相互作用的原......
研究开发一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，该工艺采用自对准双埋双阱及外延结构。外延层厚度２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采......
