反向外延相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

反向外延相关论文

Si基3C—SiC薄膜的LPCVD反向外延研究

采用低压化学气相淀积（LPCVD）技术，以CH4和H2的混合气体作为反应源气体，在n型Si（111）衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SiC......

期刊

立方碳化硅反向外延表面碳化霍尔迁移率 cubic silicon carbide reverse-epitaxy surface carbonizat

SOI基3C-SiC薄膜的光谱表征

本文探索在SOI基片上通过顶层Si直接与碳源反应,反向外延生长3C-SiC薄膜的工艺条件和技术。采用LPCVD技术,以CH4和H2混合气体为反......

期刊

立方碳化硅 SOI SiCOI 碳化反向外延

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