A new approach to reduce the reverse current of Ge pin photodiodes on Si is presented, in which an i-Si layer is inserte......

<正> 美国得克萨斯技术大学的研究人员目前正在利用大带隙器件中的短周期晶格的结特性制作基于A1GaInN的太阳盲紫外光电探测器。这......