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反向阻断电流增大相关论文
动态过程中GaN HEMT器件击穿特性研究
GaN基高电子迁移率晶体管具有耐高压、耐高温、高功率密度、工作频率高等特点,是具有前景的电力电子器件之一。自GaN HEMTs诞生以......
学位
增强型硅基GaN HEMT
动态击穿
沟道电子势垒降低
反向阻断电流增大
电场分布
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