反应蒸发相关论文
本文主要介绍了用真空反应蒸发法制备ZnO薄膜的方法,介绍测量膜厚的方法,了解ZnO薄膜的光电特性,利用XRD衍射对ZnO薄膜进行分析,得......
采用反应电子束蒸发技术在不同氧分压下制备了HfO2薄膜,并采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、椭圆偏振仪、X射线光电子能谱仪、106......
利用WO3和NiO的互补显色可以大大提高电致变色玻璃的变色效率。有关WO3薄膜的制备方法及其性能已有许多文献作了报道。已报道的NiO......
本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术．实验发现在衬底温度为470～850℃的范围内均可得到单晶薄膜，X射线衍射分析表......
用电子束反应蒸发法制备的 ａ Ｓｉ∶ Ｈ 膜和 Ａｌ２ Ｏ３ 膜组成的 ａ Ｓｉ∶ Ｈ／ Ａｌ２ Ｏ３ 膜系，解决了 ａ Ｓｉ／ Ａｌ２ Ｏ３ 膜系在 ８０８ｎｍ 波长有较强光吸收问题，吸收系数从 ２×１０３ｃｍ － １ ......
我们用反应蒸发法在氧分压２×１０－２Ｐａ、衬底温度８０～２４０℃条件下蒸发铟－锡合金，在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ膜，并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的......
采用真空反应蒸发技术，蒸发高纯度铟锡合金，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜．研究了薄膜结构及电阻率、载流子浓度和迁移......
用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ITO透明导电薄膜 ,对薄膜的低温制备 (80～ 2 4 0℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备......
判断反应4In(液)+In_2O_3(固)=3In_2O(气)的自发性,并验证这一反应在指定条件(即860℃及2×10~(-4)乇氧分压)下没有发生或即使发生......
前言Tic硬而耐磨,且抗蚀性好,因此,获得高结合强度的Tic覆层乃是表面硬化法应该达到的一个目标.但是,现有制取Tic覆层的各种方法:......
使用直流辉光和微波电子回旋共振两种等离子体辅助反应蒸发法在有机玻璃基底上制备了透明导电ＩＴＯ膜。在实验中详细地研究了氧分压对膜......
研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2......
大尺寸球面厦非球面金属反射镜在一些科学实验和工程装置中有很多用途。本文叙述了用作氙灯集光器的偏离椭球镜和作成像场镜的抛物......
最近日本化学周报报导日本工业技术院制成一种划时代耐热薄膜材料(以氮化物为基体的介电薄膜)用于电子器件。这种薄膜材料以氮化......
最近几年,在生产光学和微电子学薄膜系统中,真空淀积金属氧化物的应用有了迅速的增长。其结果是,淀积过程控制设备的发展也有了进......
[ZrO_2-TiO_2]是重要的氧化物膜料之一。[ZrO_2-TiO_2]薄膜的折射率具有明显的不稳定性,其变化范围为2.07～2.34,并出现负的或正的非......
用反应蒸发技术制作不掺杂ln_2O_3薄膜,薄膜厚度为1500～2000A、方块电阻为60～200Ω/□、透光率为80～94%(波长λ=600nm)。本文讨论了蒸......
用反应蒸发制备Fe_3O_4薄膜,经适中的温度氧化后,获得纯γ-Fe_2O_3薄膜,其矫顽力达550Oe左右.对Fe_3O_4薄膜的氧化行为进行了研究......
氮化钛薄膜由于具有许多有用的特性而受到人们日益广泛的注意。许多不同方法都曾用来生长氮化钛薄膜,其中包括化学气相淀积、活化......
采用直流磁控反应溅射技术,获得了三种铬-氧薄膜复合材料。反应蒸发得到了两种铬-氧薄膜复合材料。用测厚仪与分光光度计法确定了......
利用SiO升华的反应蒸发技术制备了SiyOx薄膜，并将它成功地应用于半硬冷光膜。讨论了真空度、蒸镀速率及后期处理工艺对SiyOx薄膜折......
以ＺｎＣｌ２作为蒸发源，采用真空反应蒸发技术制备出具有高透过率和电导率的ＺｎＯ薄膜．对制备薄膜的结构，电学和光学特性进行了测量．
Using ZnCl2 as......
本文叙述了使用等离子体辅助反应蒸发法在有机玻璃基底上制备透明导电ITO膜的研究结果。成功地在室温的条件下,制备出了高透明的、......
近年来，铁电薄膜制备技术的迅速发展使得人工介电超晶格的生长成为现实。简要介绍了有关介电多层膜和人工介电超晶格的制备、结构和......
对ＡＩＢｒ３－ＮＨ３Ｎ２体系化学气相淀积法合成ＡＩＮ膜进行了热力学分析和工艺设计，研究了在不同淀积温度和体系总压时，体系中主要气态物种的平衡分压和ＡＩＮ膜的理......
报道了ＶＯ２薄膜在ＴＥＡＣＯ２激光照射下的相变特性的实验研究。结果表明：对于本文镀制的ＶＯ２薄膜，在偏置温度为５２°Ｃ条件下，ＴＥＡＣＯ２激光入射能量密度为１５０ｍＪ／ｃｍ２时，可使ＶＯ２薄膜发......
用对向靶反应溅射制备的AIN薄膜(Si(100)基片),高气压为(100)取向,低气压下为(002)取向,精确测量XRD衍射峰位可看出AIN薄膜有较大......
Ｖ２Ｏ５薄膜是全固态电致变色器件中锂离子储存层的很好候选材料之一。本研究采用反应蒸发，优化实验条件，在加热基片上沉积了性能理想的Ｖ２Ｏ５薄膜......
用反应蒸发法在玻璃等衬底上制备出铜和铟掺杂的氧化锡SnO2:(Cu,In)薄膜.对制备薄膜的发光性质做了研究,制备样品为非晶态,具无定......
本文描述了以反应蒸发技术制备的高质量铟-锡氧化物(ITO)膜制备薄层光透电化学池的方法,并对其性能进行了测试。结果表明其透光性......
采用反应蒸发的方法,在玻璃、Corning7059玻璃及石英玻璃衬底上制备了SnO2:(Cu,In)透明导电薄膜,对薄膜的各种元素的含量做了分析,......
利用电子束反应蒸发技术,调制衬底温度200～350℃,详细研究了Mo掺杂In2O3（IMO,In2O3：Mo）薄膜的微观结构以及光电性能的变化。随着衬底温......
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用一般反应蒸发法制得的薄膜,都有一定的化学计量成分的偏离,因此,所得的吸收系数和介质损耗就增大。通过电离残留气体,已达到了大......
本文介绍在自动控制蒸发速率条件下金属氧化物反应蒸发的研究和实验。文中详细地叙述了所得的若干研究结果。讨论了用蒸发法真空淀......
本文就直流等离子体反应溅射、射频二极管反应溅射、反应蒸发、激活反应蒸发、离子束辅助淀积、增强化学汽相淀积及直流反应高速溅......
一、前言TiO_2是光学和电学应用最重要的介质材料。TiO_2膜具有耐磨擦、硬度高、附着力强、耐潮湿等良好的机械性能和化学稳定性,......
本文的目的是比较如下一些方法淀积薄膜的化学剂量、密度、耐腐蚀性和光谱漂移。这些方法有:一般的反应蒸发、带有射频等离子体的......
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1993年9～12月,以大肠杆菌(8099)与枯草杆菌黑色变种(ATCC 9372)芽胞为试验菌,对用福尔马林自然挥发的与经高锰酸钾反应蒸发的甲醛......
