吸杂工艺相关论文
由于多晶铸锭生长工艺特点,Fe等杂质含量的分布在铸锭的头部和尾部高、中间低;而少子寿命呈现头部和尾部低、中间高的分布趋势。而......
本文采用不同热处理温度(700~1 000℃)引入不同浓度的铁杂质,观察了引铁温度对p型单晶硅(无位错和有位错)有效寿命的影响,并比较了磷......
磷吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段,本文比较了三种磷吸杂工艺对两种质量硅片的体寿命变化,及其电池性能的影响。实验......
该文报道了一种改进该征吸末技术-低温短热退火工艺。以增强该征吸杂效果。在该征吸杂工艺的低温热退火中,用连续的线性缓慢升温(Ramping)退火......
该文介绍等离子体离子注入(PIII)以及PIII在浅结注入、SIMOX和Smartcut以及杂质吸杂工艺中的研究。......