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生长晶向偏离对直拉〈111〉无位错硅单晶外形的影响
运用邻位面台阶化概念,推导出直拉<111>无位错硅单晶横截面周界方程。阐述了无位错硅单晶的“鼓苞”机理,理论值与实验符合良好。......
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无位错硅单晶
周界方程
晶体生长
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