场效应结构相关论文
基于砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和CMOS电荷泵技术,研制开发的射频开关无需外加隔直电容,具有插损低、隔......
自从2004年,石墨烯的发现引起了对二维材料的极大关注,这将纳米材料的研究又向前推进一大步。其他类似的二维(2D)材料被相继发现,如M......