垂直双扩散相关论文
提出了一种内部集成了过热保护功能的VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。文中对传统过热保护原理进行了分......
分析了影响VDMOS器件频率性能的一些关键参数,研制出1GHz输出功率10W,增益8dB的VDMOS器件。验证了VDMOS器件在这一频段的工作性能......
期刊
提出了一种新型功率集成电路结构的设计方法。通过恰当的版图设计和利用垂直双扩散技术，可以在同一芯片上实现具有效强功率驱动能力......
