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基区串联电阻相关论文
采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻
采用新型调制掺杂量子阱基区结构和掩埋金属自对准工艺方法,在器件的纵向结构和制备手段上同时进行改进,使超薄基区小尺寸SiGe HBT......
期刊
锗硅异质结双极晶体管
基区串联电阻
调制掺杂量子阱
掩埋金属自对准
SiGe HBTs
base serial resistance
modulated d
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