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Si1—zGez基区杂质和Ge组份分布对HBT基区渡越时间的影响
在Si1-zGez基区HBT中,Ge组份Z缓变产生自建电场,基区杂质浓度向发射极侧的减小产生了阻滞电场,基区杂质浓度向集电极侧的减小产生了加速电场。文中研......
期刊
双极晶体管
HBT
基区渡越时间
基区杂质
锗
heterojunctionbipolartransistor(HBT)basetransittimeSiGes
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