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La2O3/SiO2/4H-SiC堆垛栅MOS电容特性研究
碳化硅(SiC)MOS(金属-氧化物-半导体)功率器件是SiC材料高压高功率应用的重要组成部分。当SiC达到其临界击穿电场3MV/cm时,根据高斯定理......
学位
碳化硅器件
半导体材料
堆垛介质
电子隧穿
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