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利用能量为６ＭｅＶ的Ｆ离子对蒸发淀积在聚四氟乙烯上的不同金属薄膜进行了辐 照实验，并测定了产生增强附着的剂量阈值。在实验的基础上给出......
用6MeV F离子束辐照了淀积在Si单晶基底上的Sb、Ag、Cu、Pd和Ni金属薄膜,并用胶带法对不同辐照剂量的各点进行了增强附着阈剂量的......
对沉积在N型半导体硅上的Cu薄膜用几MeV的Cl离子进行了不同剂量的辐照实验以观测其增强附着行为。结果表明,Cu-Si膜系存在两种不同......
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