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建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的Rp缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因......
目前,NEC首次采用抑制过度加速扩散法抑制0.1μmCMOS反向窄沟道效应. 在低电源电压化、高集成化进展的先进LSI中,晶体管的微细化是......
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