在S i晶体中建立了60°位错偶极子模型并通过Parrinello-Rahm an方法施加剪应力,使用分子动力学方法研究了60°位错在不同的温度和......

在Si晶体中建立了60°位错偶极子模型并通过Parrinello—Rahman方法施加剪应力，使用分子动力学方法研究了60°位错在不同的......