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热导率是器件性能的重要参考指标,同时也是涉及到惯性约束聚变等极端条件下物质特性的重要参数。对热导率的理论研究方法当前还处......
新型三元层状过渡金属硫族化合物逐渐成为二维材料研究的热点。近年来,二维材料ZrGeTe4因具有强各向异性而引起了人们的关注。本论......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料重要代表，在微纳米器件中有着大量的潜在应用，使得GaN纳米结构及其器件受到了学者们的广泛关注。然......
凝聚态光谱是研究半导体光学性质的一个重要手段，本文通过透射光谱、反射光谱、发光光谱和拉曼光谱等光谱研究方式，对纤锌矿结构的Ⅲ......
Si、Ge和SiGe合金纳米颗粒是一类新型半导体纳米材料，既可以作为未来硅基光电子集成中潜在的纳米尺寸光源，又具有非常重要的基础研究......
钙钛矿氧化物纳米晶，因其在光学、微电子学及光电子学的中广泛的应用前景，备受注目。本文以硬酯酸法合成掺钡钛酸铅，掺铅钛酸钡及掺钡......
基于Tersoff共价键公式的多体相互作用势[1]及0.4埃单壁纳米的生长条件[2],我们进行了分子动力学模拟.我们发现两种可能的结构如(5......
采用改进熔盐法经一步反应合成了直径50-80nm，长度为1-5μm的单晶PbTiO3纳米棒。纳米棒沿（100）晶向生长，其形成可以用Ostwald成熟机制......
采用水热法制备了不同掺杂浓度的La-PbTiO3 (PLT)、Ca-PbTiO3 (PCT)纳米晶, 平均粒径30 nm.通过透射电境、X光衍射和拉曼散射对纳......
作为典型的第三代半导体材料,氮化镓(GaN)具有优异的物理、化学特性,使其在制造高功率高频率电子器件、短波长光电子器件、高温器......
半导体禁带宽度E_g与温度的依赖关系E_g(T)是一个基础的理论课题,对材料特性的认识具有极其重要的意义。目前,对不同半导体材料的E......
采用基于第一性原理的平面波赝势方法,计算了铁基氟化物及其钴掺杂超导体SrFe1-xCoxAsF(x=0,0.125)在四方非磁态与正交条纹反铁磁......
